关于拟推荐2016年度湖北省科技进步奖候选项目的公示 - 公司公告 - 九卅娱乐手机版_九卅娱乐网_九卅娱乐app【官网】

关于拟推荐2016年度湖北省科技进步奖候选项目的公示

发布时间:2016-04-20      浏览数:121     

根据《关于组织推荐2016年度湖北省科学技术奖的通知》文件要求,经公司组织申报,现将院推荐2016年度湖北省科学技术奖项目予以公示,公示期为2016年4月19日至4月26日,为期7天。若有任何异议,请直接与科技发展部联系。
联系人:李欣国
      联系电话:027-87691458
      邮    箱:xinguo.li@accelink.com
 
 
      附件:拟推荐2016年度湖北省科技进步奖候选项目情况
     武汉九卅娱乐手机版_九卅娱乐网_九卅娱乐app【官网】股份有限公司

      二O一六年四月十八日



2016年湖北省科技奖推荐公示内容

项目名称:宽带接入用光电子核心芯片研发及产业化
推荐等级:科技进步一等奖
完成单位:武汉九卅娱乐手机版_九卅娱乐网_九卅娱乐app【官网】股份有限公司
武汉电信器件有限公司
武汉邮电科学研究院
 
1、项目简介
本项目属于信息技术领域。
宽带接入网的大规模建设与发展,为光电子器件提供了良好的机遇。因宽带接入用核心光电子芯片依赖国外进口,“空芯化”问题日益突出,为宽带建设的发展提出了严峻的挑战。为解决“空芯化”问题,打破国外的技术与价格限制,保障信息安全,自主研发相关光电子核心芯片势在必行。
在国家科技支撑计划项目“InP基有源光电子核心芯片与器件”(项目编号2009BAH49B01)和湖北省重大科技专项项目“通信光电子核心器件关键技术研究与产业化”(项目编号:2009AAA009)的支持下,项目承担单位进行了宽带接入用光电子核心芯片研发及产业化的研究,通过材料生长和芯片微加工技术的改进提高,全面掌握从材料生长到芯片制作一套完整的关键工艺和技术,为最终实现相关有源光电子器件芯片的产业化提供坚实的工艺基础和技术平台,提升相关核心芯片技术水平和自我国产化能力。
    本项目主要创新点如下:
1)针对雪崩光电二极管在锌热扩散增加雪崩倍增层的厚度过程中出现边缘击穿,使增益无法提升,导致带宽和速率无法提升的问题,发明了免扩散结构及相应的工艺技术。采用此技术可在MOCVD或MBE材料生长过程中,精确控制倍增层厚度,避免边缘部分击穿,有利于提升带宽和速率,并提高可靠性。同时,工艺过程减少30%。
2)针对常用的电子束光刻方法制作相移光栅设备投入量大生产效率低的缺点,发明了全息方法制作1/4波长相移光栅技术,采取正性反转胶方法制作1/4波长相移光栅,大幅降低设备成本,提高了生产效率。采用此技术制作光栅设备成本不到传统电子束光刻设备的1/10,效率提升50倍以上。工艺过程简单耗时短,普通工人即可操作,适合大批量生产。
3)针对平面探测器带宽受限、工作速率低、寄生电容过大的问题,发明了一种高速铟镓砷探测器的制作方法,将探测器设计成台面结构,腐蚀去掉两边多余的磷化铟材料,减少寄生电容0.1pF;优化外延结构并设计探测器各层材料厚度与掺杂度,降低正向电阻R;通过减少RC常数,实现10GHz以上带宽,提升带宽30%。
    本项目成果为国内领先国际先进水平。项目的开发完成及产业化解决了我国高端核心光电器件的“空芯化”问题,并形成了宽带接入芯片的的产业化,摆脱了国外技术的依赖,填补了国内该项技术的空白。本项目的顺利完成标志着我国在光通信领域方面上具有重大科学意义的一次跨越,对我国民族光通信产业的发展具有积极的推动作用和突出贡献。项目承担单位已实现年产各种芯片1亿只的产能,在国内外相关宽带接入系统中大批量应用,累计销售13亿元以上,对促进我国宽带提速降费,享受4G生活,保证信息安全做出了重要贡献。本项目共申请专利35项,中国发明专利24件,牵头起草业标准4项
2、主要知识产权证明目录

知识产权
类别
知识产权具体名称国家
(地区)
授权号授权日期发明专利有效状态
中国发明专利一种免扩散的雪崩光电二极管及其制备方法中国ZL201310045387.82015.05.20有效
中国发明专利一种四分之一波长相移光栅的制作方法中国ZL201310010352.02015.08.12有效
中国发明专利一种高速铟镓砷探测器及其制作方法中国ZL201410224715.52016.03.02有效
中国发明专利一种半导体面发射激光器及其制备方法和应用中国ZL201310104299.02015.09.23有效
中国发明专利一种超薄半导体晶片的制作方法中国ZL201310043017.02015.03.25有效
中国发明专利一种宽光谱半导体超辐射发光二级管的制作方法中国ZL201210176000.82015.04.01有效
中国发明专利一种晶圆片的研磨抛光方法中国ZL201310008727.X2015.10.07有效
中国发明专利采用无源波导光栅的阵列型外腔可调激光器中国ZL201010241744.42011.11.09有效
中国实用新型专利一种用于制备DFB激光器相移光栅的反射镜装置中国ZL201220700648.62013.07.24有效
中国实用新型专利半导体外延片真空夹持装置中国ZL201320004230.62013.08.14有效

3、推广应用情况:
本项目产品于2009年开始在国内几大设备制造商宽带接入网项目中规模应用,本项目产品全球市场占有率达20%,位居同行业第一,国内市场占有率达50%以上,有力支撑了国家宽带战略的实施,促进了地区经济发展。从2010年起,产品实现规模出口,已广泛应用于北美、欧洲等发达地区的宽带接入网。截止2015年12月底,宽带接入芯片相关系列产品累计销售达到12亿元人民币,其中在湖北省内销售达到3亿元。随着互联网+的发展应用,本项目产品将具有更加广阔的发展和应用前景。
4、主要完成人情况: 

排名姓名行政职务技术职称工作单位贡献
1王任凡部门
副总经理
教授级高工武汉邮电科学研究院项目负责人,总体方案策划及光路设计
2岳爱文部门经理高级工程师武汉九卅娱乐手机版_九卅娱乐网_九卅娱乐app【官网】股份有限公司负责APD开发
3阳红涛部门副经理高级工程师武汉九卅娱乐手机版_九卅娱乐网_九卅娱乐app【官网】股份有限公司负责DFB激光器开发
4刘应军项目经理高级工程师武汉电信器件有限公司负责DFB激光器技术及工艺开发
5金灿项目经理高级工程师武汉电信器件有限公司负责DFB激光器技术及工艺开发
6周宁项目经理教授级高工武汉邮电科学研究院负责芯片结构与工艺设计及制作
7黄晓东部门副经理教授级高工武汉九卅娱乐手机版_九卅娱乐网_九卅娱乐app【官网】股份有限公司负责芯片结构与工艺设计及制作
8胡艳项目经理工程师武汉电信器件有限公司负责APD 工艺开发,规模化生产研究
9罗飚项目经理工程师武汉电信器件有限公司负责激光器芯片可靠性研究
10刘巍项目经理工程师武汉电信器件有限公司负责芯片薄膜生长,刻蚀,减薄等制作工艺
11李晶项目经理工程师武汉电信器件有限公司负责APD芯片扩散工艺、倒装焊工艺与测试
12胡忞远项目经理高级工程师武汉电信器件有限公司负责1490nm DFB芯片的开发,外延片的全息干涉光栅制作
13陈晓莉部门经理高级工程师武汉电信器件有限公司负责DFB与APD芯片的封装、测试、验证
14赵建宜项目经理工程师武汉九卅娱乐手机版_九卅娱乐网_九卅娱乐app【官网】股份有限公司负责芯片结构与工艺设计及制作
15方娜项目经理工程师武汉电信器件有限公司负责DFB激光器生产工艺

5、完成人合作关系说明:
本项目“宽带接入用光电子核心芯片研发及产业化”由武汉九卅娱乐手机版_九卅娱乐网_九卅娱乐app【官网】股份有限公司、武汉电信器件有限公司、武汉邮电科学研究院合作完成。本项目获得国家科技支撑计划项目“InP基有源光电子核心芯片与器件”(项目编号2009BAH49B01)和湖北省重大科技专项项目“通信光电子核心器件关键技术研究与产业化”(项目编号:2009AAA009)的资助。
其中,武汉邮电科学研究院为国家科技支撑计划项目的总体牵头单位,负责项目的总体策划、统筹协调,组织实施和项目管理(包括对课题的定期检查和验收工作),同时为本项目提供了专家咨询、科研实验场地和测试仪表支持,确保了项目的完成。项目第一完成人王仁凡教授级高工为本项目的总体负责人,项目主要完成人周宁教授级高工作为项目的核心研究人员,参与了项目实施的全过程。
武汉九卅娱乐手机版_九卅娱乐网_九卅娱乐app【官网】股份有限公司为国家科技支撑计划项目和湖北省重大科技专项项目的主体承担单位,负责项目的总体实施、核心工艺平台的构建和项目成果的市场推广。项目主要完成人中,岳爱文、阳红涛、黄晓东、赵建宜等工作单位为武汉九卅娱乐手机版_九卅娱乐网_九卅娱乐app【官网】股份有限公司,都是该项目的核心研究人员,参与了项目实施的全过程。
武汉电信器件有限公司为为国家科技支撑计划项目和湖北省重大科技专项项目的参与单位,负责本项目成果的规划生产、推广应用。项目主要完成人中,刘应军、金灿、胡艳、罗飚、刘巍、李晶、胡忞远、陈晓莉、方娜等工作单位为武汉电信器件有限公司,参与了项目实施的全过程。
全部研究人员都是本项目核心研究人员,具体合作时间、方式、产出及证明材料在《完成人合作关系情况汇总表》中进行了详细的分工说明。


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